| Marca | Samsung |
| Modelo | MZ-V9V2T0BW |
| Características | - Tipo: SSD interno - Capacidad: 2.000 GB (2 TB) - Interfaz: PCIe Gen 4.0 x4, NVMe 2.0 - Factor de forma: M.2 2280 - Velocidad de lectura secuencial: hasta 7.450 MB/s - Velocidad de escritura secuencial: hasta 6.900 MB/s - Lectura aleatoria (4KB, QD32): hasta 1.400.000 IOPS - Escritura aleatoria (4KB, QD32): hasta 1.550.000 IOPS - Memoria de almacenamiento: Samsung V-NAND 3-bit MLC - Memoria caché: 2 GB Low Power DDR4 SDRAM - MTBF: 1.500.000 horas - Resistencia (TBW): 1.200 - Encriptación: AES 256 bits (Clase 0), TCG/Opal, IEEE1667 - TRIM - S.M.A.R.T. - Garbage Collection automático - Device Sleep Mode - Voltaje soportado: 3,3 V ± 5% - Temperatura operativa: 0 a 70 °C - Resistencia a golpes: 1.500 G - Software de gestión: Magician - Consumo medio: 5,5 W - Consumo máximo: 8,5 W - Consumo en reposo: 55 mW Dimensiones y peso - 80 x 22 x 2,3 mm - 9 g |
| Fecha de revisión | 14-08-2026 por IS |
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